La Defense Advanced Research Projects Agency (DARPA) a attribué à l'organisation de recherche et développement FAST LabsTM de BAE Systems un contrat de 12 millions de dollars pour le programme THREADS (Technologies for Heat Removal in Electronics at the Device Scale). Le programme DARPA THREADS vise à surmonter les limites de température à l'échelle du transistor inhérentes aux fonctions d'amplification de puissance. Avec de nouveaux matériaux et de nouvelles approches pour diffuser la chaleur qui dégrade les performances et la durée de vie des circuits intégrés monolithiques hyperfréquences (MMIC), THREADS vise à résoudre les problèmes de gestion thermique des dispositifs actuels en nitrure de gallium (GaN).

De nombreux systèmes militaires utilisent l'électronique radiofréquence (RF) et ont historiquement fonctionné à des puissances bien inférieures à leurs limites théoriques parce que les transistors GaN chauffent trop. La résolution de ce problème permettra de multiplier par près de trois la portée des systèmes basés sur les radiofréquences. Les distances d'engagement des combattants s'en trouveront accrues, ce qui les mettra encore plus à l'abri du danger.

BAE Systems mettra à profit son expertise et ses antécédents en matière de développement et de fabrication de microélectronique avancée pour le programme dans son centre de microélectronique (MEC) situé à Nashua, dans le New Hampshire. Le MEC est un fournisseur de confiance de catégorie 1A accrédité par le DoD et fabrique des circuits intégrés en GaN et en arséniure de gallium en quantités de production pour des programmes critiques du ministère de la défense. Le travail sur le programme THREADS comprend une collaboration avec Modern Microsystems, Penn State University, Stanford University, University of Notre Dame et University of Texas at Dallas.